Антава

ONSEMI

Транзистор NTMD6P02R2G

NTMD6P02R2G
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-20 V
Drain current
-5.7 A
Power dissipation
2 W
Корпус
SO8
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяNTMD6P02R2G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-20 V
Drain current-5.7 A
Power dissipation2 W
КорпусSO8
Gate-source voltage±12 V
On-state resistance33 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.7A; 2W; SO8

Документация

Документы пока не предоставлены.