ONSEMI

Транзистор NTLJS7D2P02P8ZTAG

Фото уточняется

Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -13.1A
Pulsed drain current: -52A
Power dissipation: 2.4W

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	NTLJS7D2P02P8ZTAG
Производитель	ONSEMI
Type of transistor	P-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-20V
Drain current	-13.1A
Pulsed drain current	-52A
Power dissipation	2.4W
Корпус	WDFN6
Gate-source voltage	±8V
On-state resistance	9mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	26.7nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -13.1A; Idm: -52A; 2.4W; WDFN6

Документация

Документы пока не предоставлены.