Антава

ONSEMI

Транзистор NTLJS4114NTAG

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
7.8 A
Pulsed drain current
28 A
Power dissipation
1.92 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяNTLJS4114NTAG
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current7.8 A
Pulsed drain current28 A
Power dissipation1.92 W
КорпусWDFN6
Gate-source voltage±12 V
On-state resistance35 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge8.5nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.8A; Idm: 28A; 1.92W; WDFN6

Документация

Документы пока не предоставлены.