Антава

ONSEMI

Транзистор NTLJS3D0N02P8ZTAG

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
20 V
Drain current
20.2 A
Pulsed drain current
81 A
Power dissipation
2.4 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяNTLJS3D0N02P8ZTAG
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage20 V
Drain current20.2 A
Pulsed drain current81 A
Power dissipation2.4 W
КорпусWDFN6
Gate-source voltage±12 V
On-state resistance3.8 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge21nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 20.2A; Idm: 81A; 2.4W; WDFN6

Документация

Документы пока не предоставлены.