ONSEMI

Транзистор NTLJS2103PTBG

Фото уточняется

Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12 V
Drain current: -7.7 A
Pulsed drain current: -24 A
Power dissipation: 3.3 W

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	NTLJS2103PTBG
Производитель	ONSEMI
Type of transistor	P-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-12 V
Drain current	-7.7 A
Pulsed drain current	-24 A
Power dissipation	3.3 W
Корпус	WDFN6
Gate-source voltage	±8 V
On-state resistance	25 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	12.8nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -7.7A; Idm: -24A; 3.3W; WDFN6

Документация

Документы пока не предоставлены.