ONSEMI
Транзистор NTLJD3119CTBG
WDFN6Изображение корпуса
- Type of transistor
- N/P-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Kind of transistor
- complementary pair
- Drain-source voltage
- 20/-20 V
- Drain current
- 2.8/-2.4 A
- Power dissipation
- 1.5 W
Добавим фотографию после подтверждения источника.
Цена и заказ
Обновить наличиеЦена / шт.По запросу
Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.
Характеристики
| Артикул производителя | NTLJD3119CTBG |
|---|---|
| Производитель | ONSEMI |
| Type of transistor | N/P-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Kind of transistor | complementary pair |
| Drain-source voltage | 20/-20 V |
| Drain current | 2.8/-2.4 A |
| Power dissipation | 1.5 W |
| Корпус | WDFN6 |
| Gate-source voltage | ±8 V |
| On-state resistance | 65/100 mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.