Антава

ONSEMI

Транзистор NTLJD3115PT1G

Фото уточняется
Type of transistor
P-MOSFET x2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-20 V
Drain current
-4.1 A
Pulsed drain current
-20 A
Power dissipation
2.3 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяNTLJD3115PT1G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorP-MOSFET x2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-20 V
Drain current-4.1 A
Pulsed drain current-20 A
Power dissipation2.3 W
КорпусWDFN6
Gate-source voltage±8 V
On-state resistance0.1 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge5.5nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -4.1A; Idm: -20A; 2.3W

Документация

Документы пока не предоставлены.