ONSEMI

Транзистор NTK3139PT1G

NTK3139PT1G

Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20 V
Drain current: -0.57 A
Power dissipation: 0.45 W
Корпус: SOT723

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	NTK3139PT1G
Производитель	ONSEMI
Type of transistor	P-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-20 V
Drain current	-0.57 A
Power dissipation	0.45 W
Корпус	SOT723
Gate-source voltage	±6 V
On-state resistance	2.2 Ω
Монтаж	SMD — поверхностный
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.57A; 0.45W; SOT723

Документация

Документ производителя