Антава

ONSEMI

Транзистор NTJS4405NT1G

NTJS4405NT1G
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
25 V
Drain current
1.2 A
Pulsed drain current
3.7 A
Power dissipation
0.63 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяNTJS4405NT1G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage25 V
Drain current1.2 A
Pulsed drain current3.7 A
Power dissipation0.63 W
КорпусSC88
Gate-source voltage±8 V
On-state resistance0.35 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge0.75nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 1.2A; Idm: 3.7A; 630mW; SC88

Документация

Документы пока не предоставлены.