Антава

ONSEMI

Транзистор NTJS4151PT1G

NTJS4151PT1G
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-20 V
Drain current
-2.4 A
Power dissipation
1 W
Корпус
SC70-6, SC88, SOT363
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяNTJS4151PT1G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-20 V
Drain current-2.4 A
Power dissipation1 W
КорпусSC70-6, SC88, SOT363
Gate-source voltage±12 V
On-state resistance60 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 1W

Документация

Документы пока не предоставлены.