Антава

ONSEMI

Транзистор NTJS3157NT1G

NTJS3157NT1G
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
20 V
Drain current
2.3 A
Power dissipation
1 W
Корпус
SC70-6, SC88, SOT363
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 1 587 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%36,09 ₽

Сумма · с НДС 22%36,09 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 136,09 ₽
от 532,67 ₽
от 1029,63 ₽
от 10019,56 ₽
от 50013,87 ₽
от 100012,16 ₽
от 150011,02 ₽
от 30009,69 ₽
от 60009,12 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяNTJS3157NT1G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage20 V
Drain current2.3 A
Power dissipation1 W
КорпусSC70-6, SC88, SOT363
Gate-source voltage±8 V
On-state resistance60 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 1W; SC70-6,SC88,SOT363

Документация

Документы пока не предоставлены.