Антава

ONSEMI

Транзистор NTJD5121NT1G

NTJD5121NT1G
Type of transistor
N-MOSFET x2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
0.295 A
Power dissipation
0.25 W
Корпус
SC70-6, SC88, SOT363
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяNTJD5121NT1G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET x2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current0.295 A
Power dissipation0.25 W
КорпусSC70-6, SC88, SOT363
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance2.5 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge0.9nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.295A; 0.25W; ESD

Документация

Документ производителя