ONSEMI
Транзистор NTJD4401NT1G
- Type of transistor
- N-MOSFET x2
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 20 V
- Drain current
- 0.46 A
- Рассеиваемая мощность
- 0.27 W
- Корпус
- SC70-6, SC88, SOT363
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 1 343 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%90,17 ₽
Сумма · с НДС 22%90,17 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 90,17 ₽ | |
| от 10 | 58,42 ₽ | |
| от 50 | 41,33 ₽ | |
| от 100 | 35,50 ₽ | |
| от 500 | 25,17 ₽ | |
| от 1000 | 21,79 ₽ | |
| от 3000 | 20,85 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | NTJD4401NT1G |
|---|---|
| Производитель | ONSEMI |
| Type of transistor | N-MOSFET x2 |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 20 V |
| Drain current | 0.46 A |
| Рассеиваемая мощность | 0.27 W |
| Корпус | SC70-6, SC88, SOT363 |
| Gate-source voltage | ±12 V |
| On-state resistance | 445 mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 1.3nC |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
| Version | ESD |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.46A; 0.27W; ESD
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.