Антава

ONSEMI

Транзистор NTJD4158CT1G

NTJD4158CT1G
Type of transistor
N/P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Kind of transistor
complementary pair
Drain-source voltage
30/-20 V
Drain current
250/-880 mA
Power dissipation
0.27 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяNTJD4158CT1G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN/P-MOSFET
Polarisationunipolar
Kind of transistorcomplementary pair
Drain-source voltage30/-20 V
Drain current250/-880 mA
Power dissipation0.27 W
КорпусSC88
Gate-source voltage±20/±12 V
On-state resistance1 Ω/215 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge900pC/2.2nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-20V

Документация

Документы пока не предоставлены.