Антава

ONSEMI

Транзистор NTJD4105CT2G

NTJD4105CT2G
Type of transistor
N/P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Kind of transistor
complementary pair
Drain-source voltage
20/-8 V
Drain current
0.46/-0.558 A
Рассеиваемая мощность
0.14 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяNTJD4105CT2G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN/P-MOSFET
Polarisationunipolar
Kind of transistorcomplementary pair
Drain-source voltage20/-8 V
Drain current0.46/-0.558 A
Рассеиваемая мощность0.14 W
КорпусSC70-6, SC88, SOT363
Gate-source voltage±8 V, ±12 V
On-state resistance375/300 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-8V

Документация

Документы пока не предоставлены.