Антава

ONSEMI

Транзистор NTHL110N65S3F

NTHL110N65S3F
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
SuperFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650V
Drain current
19.5A
Pulsed drain current
69A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяNTHL110N65S3F
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
TechnologySuperFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650V
Drain current19.5A
Pulsed drain current69A
Power dissipation240W
КорпусTO247
Gate-source voltage±30V
On-state resistance0.11Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge58nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19.5A; Idm: 69A; 240W; TO247

Документация

Документ производителя