ONSEMI

Транзистор NTHL1000N170M1

TO247-3Изображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET
Технология: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7 kV
Drain current: 3 A
Pulsed drain current: 14 A

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	NTHL1000N170M1
Производитель	ONSEMI
Type of transistor	N-MOSFET
Технология	SiC
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	1.7 kV
Drain current	3 A
Pulsed drain current	14 A
Рассеиваемая мощность	24 W
Корпус	TO247-3
Gate-source voltage	-5...20 V
On-state resistance	1.8 Ω
Монтаж	THT — в отверстия
Gate charge	14nC
Kind of package	tube
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 3A; Idm: 14A; 24W

Документация

Документы пока не предоставлены.