Антава

ONSEMI

Транзистор NTHL099N60S5

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
33 A
Pulsed drain current
95 A
Рассеиваемая мощность
184 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяNTHL099N60S5
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current33 A
Pulsed drain current95 A
Рассеиваемая мощность184 W
КорпусTO247-3
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance99 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge48nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 33A; Idm: 95A; 184W; TO247-3

Документация

Документы пока не предоставлены.