ONSEMI

Транзистор NTHL082N65S3HF

Фото уточняется

Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650 V
Drain current: 40 A
Pulsed drain current: 100 A
Power dissipation: 313 W

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	NTHL082N65S3HF
Производитель	ONSEMI
Type of transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	650 V
Drain current	40 A
Pulsed drain current	100 A
Power dissipation	313 W
Корпус	TO247-3
Gate-source voltage	±30 V
On-state resistance	82 mΩ
Монтаж	THT — в отверстия
Gate charge	79nC
Kind of package	tube
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 40A; Idm: 100A; 313W; TO247-3

Документация

Документы пока не предоставлены.