Антава

ONSEMI

Транзистор NTHL082N65S3F

NTHL082N65S3F
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SuperFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
25.5 A
Pulsed drain current
100 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяNTHL082N65S3F
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSuperFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current25.5 A
Pulsed drain current100 A
Power dissipation313 W
КорпусTO247
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance82 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge81nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 25.5A; Idm: 100A; 313W; TO247

Документация

Документ производителя