Антава

ONSEMI

Транзистор NTHL080N120SC1A

NTHL080N120SC1A
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.2 kV
Drain current
22 A
Pulsed drain current
132 A
Рассеиваемая мощность
178 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяNTHL080N120SC1A
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2 kV
Drain current22 A
Pulsed drain current132 A
Рассеиваемая мощность178 W
КорпусTO247
Gate-source voltage±25 V
On-state resistance114 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge56nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 22A; Idm: 132A; 178W; TO247

Документация

Документы пока не предоставлены.