Антава

ONSEMI

Транзистор NTHL060N090SC1

NTHL060N090SC1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
900 V
Drain current
32 A
Pulsed drain current
184 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяNTHL060N090SC1
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage900 V
Drain current32 A
Pulsed drain current184 A
Рассеиваемая мощность110 W
КорпусTO247-3
Gate-source voltage-10...20 V
On-state resistance60 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge87nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 32A; Idm: 184A; 110W

Документация

Документ производителя