ONSEMI

Транзистор NTHL040N120M3S

TO247-3Изображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET
Технология: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2 kV
Drain current: 38 A
Pulsed drain current: 134 A

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	NTHL040N120M3S
Производитель	ONSEMI
Type of transistor	N-MOSFET
Технология	SiC
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	1.2 kV
Drain current	38 A
Pulsed drain current	134 A
Рассеиваемая мощность	115 W
Корпус	TO247-3
Gate-source voltage	-10...22 V
On-state resistance	80 mΩ
Монтаж	THT — в отверстия
Gate charge	75nC
Kind of package	tube
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 38A; Idm: 134A; 115W

Документация

Документы пока не предоставлены.