ONSEMI

Транзистор NTHL023N065M3S

TO247-3Изображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET
Технология: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650 V
Drain current: 49 A
Pulsed drain current: 218 A

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	NTHL023N065M3S
Производитель	ONSEMI
Type of transistor	N-MOSFET
Технология	SiC
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	650 V
Drain current	49 A
Pulsed drain current	218 A
Power dissipation	131 W
Корпус	TO247-3
Gate-source voltage	-8...22 V
On-state resistance	37 mΩ
Монтаж	THT — в отверстия
Gate charge	69nC
Kind of package	tube
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 49A; Idm: 218A; 131W

Документация

Документы пока не предоставлены.