Антава

ONSEMI

Транзистор NTHL020N120SC1

NTHL020N120SC1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.2 kV
Drain current
73 A
Pulsed drain current
412 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяNTHL020N120SC1
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2 kV
Drain current73 A
Pulsed drain current412 A
Рассеиваемая мощность267 W
КорпусTO247-3
Gate-source voltage-15...25 V
On-state resistance28 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge66nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 73A; Idm: 412A; 267W

Документация

Документ производителя