Антава

ONSEMI

Транзистор NTHL019N65S3H

NTHL019N65S3H
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
73 A
Pulsed drain current
328 A
Power dissipation
625 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяNTHL019N65S3H
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current73 A
Pulsed drain current328 A
Power dissipation625 W
КорпусTO247
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance15 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge282nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 73A; Idm: 328A; 625W; TO247

Документация

Документы пока не предоставлены.