Антава

ONSEMI

Транзистор NTHD4102PT1G

Type of transistor
P-MOSFET x2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-20 V
Drain current
-4.1 A
Pulsed drain current
-16 A
Power dissipation
2.1 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяNTHD4102PT1G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorP-MOSFET x2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-20 V
Drain current-4.1 A
Pulsed drain current-16 A
Power dissipation2.1 W
КорпусChipFET
Gate-source voltage±8 V
On-state resistance80 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge7.6nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -4.1A; Idm: -16A; 2.1W

Документация

Документы пока не предоставлены.