ONSEMI

Транзистор NTHD3102CT1G

Фото уточняется

Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 20/-20 V
Drain current: 5.5/-4.2 A
Pulsed drain current: 16 A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	NTHD3102CT1G
Производитель	ONSEMI
Type of transistor	N/P-MOSFET
Polarisation	unipolar
Kind of transistor	complementary pair
Drain-source voltage	20/-20 V
Drain current	5.5/-4.2 A
Pulsed drain current	16 A
Power dissipation	0.6 W
Корпус	ChipFET
Gate-source voltage	±8/±8 V
On-state resistance	37/83 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	5.8/6.6nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V

Документация

Документы пока не предоставлены.