ONSEMI

Транзистор NTHD3100CT1G

NTHD3100CT1G

Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 20/-20 V
Drain current: 3.9/-4.4 A
Pulsed drain current: 12 A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Вариант поставкиДоступно к заказу 1 614 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на 12.10, 09:38

Цена / шт. · с НДС 22%315,32 ₽

Кол-во, шт.

Сумма · с НДС 22%315,32 ₽

Оптовые цены и условия

Количество	Цена / шт.	Выбор
от 1	315,32 ₽
от 5	232,88 ₽
от 10	200,02 ₽
от 25	164,50 ₽
от 50	143,60 ₽
от 100	126,89 ₽
от 250	110,36 ₽
от 500	105,99 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителя	NTHD3100CT1G
Производитель	ONSEMI
Type of transistor	N/P-MOSFET
Polarisation	unipolar
Kind of transistor	complementary pair
Drain-source voltage	20/-20 V
Drain current	3.9/-4.4 A
Pulsed drain current	12 A
Power dissipation	3.1 W
Корпус	ChipFET
Gate-source voltage	±12/±8 V
On-state resistance	115/110 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	7.4nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V

Документация

Документы пока не предоставлены.