Антава

ONSEMI

Транзистор NTH4LN067N65S3H

NTH4LN067N65S3H
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
25 A
Pulsed drain current
112 A
Power dissipation
266 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяNTH4LN067N65S3H
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current25 A
Pulsed drain current112 A
Power dissipation266 W
КорпусTO247
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance55 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge80nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 25A; Idm: 112A; 266W; TO247

Документация

Документы пока не предоставлены.