ONSEMI

Транзистор NTH4LN040N65S3H

Фото уточняется

Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650 V
Drain current: 62 A
Pulsed drain current: 174 A
Power dissipation: 379 W

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	NTH4LN040N65S3H
Производитель	ONSEMI
Type of transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	650 V
Drain current	62 A
Pulsed drain current	174 A
Power dissipation	379 W
Корпус	TO247-4
Gate-source voltage	±30 V
On-state resistance	40 mΩ
Монтаж	THT — в отверстия
Gate charge	132nC
Kind of package	tube
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 62A; Idm: 174A; 379W; TO247-4

Документация

Документы пока не предоставлены.