Антава

ONSEMI

Транзистор NTH4L080N120SC1

NTH4L080N120SC1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.2 kV
Drain current
21 A
Pulsed drain current
125 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 3 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%2 463,45 ₽

Сумма · с НДС 22%2 463,45 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 12 463,45 ₽
от 22 341,43 ₽
от 52 120,25 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяNTH4L080N120SC1
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2 kV
Drain current21 A
Pulsed drain current125 A
Power dissipation28 W
КорпусTO247-4
Gate-source voltage-15...25 V
On-state resistance80 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge56nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesKelvin terminal
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 21A; Idm: 125A; 28W

Документация

Документ производителя