Антава

ONSEMI

Транзистор NTH4L060N090SC1

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
900 V
Drain current
32 A
Pulsed drain current
211 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяNTH4L060N090SC1
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage900 V
Drain current32 A
Pulsed drain current211 A
Рассеиваемая мощность110 W
КорпусTO247-4
Gate-source voltage-5...15 V
On-state resistance76 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge87nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesKelvin terminal
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 32A; Idm: 211A; 110W

Документация

Документы пока не предоставлены.