Антава

ONSEMI

Транзистор NTH4L045N065SC1

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
39 A
Pulsed drain current
197 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяNTH4L045N065SC1
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current39 A
Pulsed drain current197 A
Рассеиваемая мощность94 W
КорпусTO247-4
Gate-source voltage-5...18 V
On-state resistance41 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge105nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesKelvin terminal
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 39A; Idm: 197A; 94W

Документация

Документы пока не предоставлены.