Антава

ONSEMI

Транзистор NTH4L040N120SC1

NTH4L040N120SC1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.2 kV
Drain current
41 A
Pulsed drain current
232 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 126 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%3 499,96 ₽

Сумма · с НДС 22%3 499,96 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 13 499,96 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяNTH4L040N120SC1
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2 kV
Drain current41 A
Pulsed drain current232 A
Power dissipation160 W
КорпусTO247-4
Gate-source voltage-15...25 V
On-state resistance56 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge106nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesKelvin terminal
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 41A; Idm: 232A; 160W

Документация

Документ производителя