Антава

ONSEMI

Транзистор NTH4L028N170M1

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.7 kV
Drain current
57 A
Pulsed drain current
363 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяNTH4L028N170M1
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.7 kV
Drain current57 A
Pulsed drain current363 A
Power dissipation267 W
КорпусTO247-4
Gate-source voltage-5...20 V
On-state resistance57nΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge200nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesKelvin terminal
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 57A; Idm: 363A; 267W

Документация

Документы пока не предоставлены.