Антава

ONSEMI

Транзистор NTH4L027N65S3F

NTH4L027N65S3F
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
60 A
Pulsed drain current
187.5 A
Power dissipation
595 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяNTH4L027N65S3F
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current60 A
Pulsed drain current187.5 A
Power dissipation595 W
КорпусTO247
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance23 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge259nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 60A; Idm: 187.5A; 595W; TO247

Документация

Документы пока не предоставлены.