Антава

ONSEMI

Транзистор NTH4L025N065SC1

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
70 A
Pulsed drain current
323 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяNTH4L025N065SC1
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current70 A
Pulsed drain current323 A
Power dissipation174 W
КорпусTO247-4
Gate-source voltage-5...18 V
On-state resistance24 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge164nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesKelvin terminal
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 70A; Idm: 323A; 174W

Документация

Документы пока не предоставлены.