Антава

ONSEMI

Транзистор NTH4L023N065M3S

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
47 A
Pulsed drain current
225 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяNTH4L023N065M3S
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current47 A
Pulsed drain current225 A
Рассеиваемая мощность122 W
КорпусTO247-4
Gate-source voltage-8...22 V
On-state resistance37 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge69nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesKelvin terminal
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 47A; Idm: 225A; 122W

Документация

Документы пока не предоставлены.