Антава

ONSEMI

Транзистор NTH4L020N090SC1

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SiC
Drain-source voltage
900 V
Drain current
116 A
Рассеиваемая мощность
484 W
Корпус
TO247-4
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 1 800 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%4 471,58 ₽

Сумма · с НДС 22%134 147,40 ₽

От 30 шт. · шаг 30

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 304 471,58 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяNTH4L020N090SC1
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSiC
Drain-source voltage900 V
Drain current116 A
Рассеиваемая мощность484 W
КорпусTO247-4
Gate-source voltage-8...22 V
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge196nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; 900V; 116A; 484W; TO247-4

Документация

Документы пока не предоставлены.