Антава

ONSEMI

Транзистор NTH4L015N065SC1

NTH4L015N065SC1
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
100 A
Pulsed drain current
483 A
Рассеиваемая мощность
250 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяNTH4L015N065SC1
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current100 A
Pulsed drain current483 A
Рассеиваемая мощность250 W
КорпусTO247
Gate-source voltage±8 V
On-state resistance16 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge283nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 100A; Idm: 483A; 250W; TO247

Документация

Документ производителя