Антава

ONSEMI

Транзистор NTH4L013N120M3S

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.2 kV
Drain current
107 A
Pulsed drain current
505 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяNTH4L013N120M3S
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2 kV
Drain current107 A
Pulsed drain current505 A
Рассеиваемая мощность340 W
КорпусTO247-4
Gate-source voltage-10...22 V
On-state resistance29 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge254nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesKelvin terminal
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 107A; Idm: 505A; 340W

Документация

Документы пока не предоставлены.