Антава

ONSEMI

Транзистор NTH027N65S3F-F155

NTH027N65S3F-F155
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
60 A
Pulsed drain current
187.5 A
Рассеиваемая мощность
595 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяNTH027N65S3F-F155
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current60 A
Pulsed drain current187.5 A
Рассеиваемая мощность595 W
КорпусTO247
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance23 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge259nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 60A; Idm: 187.5A; 595W; TO247

Документация

Документы пока не предоставлены.