ONSEMI

Транзистор NTGS4111PT1G

Фото уточняется

Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30 V
Drain current: -2.7 A
Power dissipation: 1.25 W
Корпус: TSOP6

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	NTGS4111PT1G
Производитель	ONSEMI
Type of transistor	P-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-30 V
Drain current	-2.7 A
Power dissipation	1.25 W
Корпус	TSOP6
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	60 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.7A; 1.25W; TSOP6

Документация

Документы пока не предоставлены.