Антава

ONSEMI

Транзистор NTGS3443T1G

NTGS3443T1G
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-20 V
Drain current
-3.1 A
Рассеиваемая мощность
1 W
Корпус
TSOP6
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяNTGS3443T1G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-20 V
Drain current-3.1 A
Рассеиваемая мощность1 W
КорпусTSOP6
Gate-source voltage±12 V
On-state resistance0.1 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge7.5nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.1A; 1W; TSOP6

Документация

Документ производителя