ONSEMI

Транзистор NTGS3441T1G

TSOP6Изображение корпуса

Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20 V
Drain current: -2.35 A
Power dissipation: 1 W
Корпус: TSOP6

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	NTGS3441T1G
Производитель	ONSEMI
Type of transistor	P-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-20 V
Drain current	-2.35 A
Power dissipation	1 W
Корпус	TSOP6
Gate-source voltage	±8 V
On-state resistance	90 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.35A; 1W; TSOP6

Документация

Документы пока не предоставлены.