Антава

ONSEMI

Транзистор NTGS3136PT1G

Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-20 V
Drain current
-3.6 A
Pulsed drain current
-20 A
Power dissipation
0.7 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяNTGS3136PT1G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-20 V
Drain current-3.6 A
Pulsed drain current-20 A
Power dissipation0.7 W
КорпусTSOP6
Gate-source voltage±8 V
On-state resistance32 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge18nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.6A; Idm: -20A; 700mW; TSOP6

Документация

Документы пока не предоставлены.