Антава

ONSEMI

Транзистор NTGS3130NT1G

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
20 V
Drain current
4.1 A
Pulsed drain current
19 A
Power dissipation
0.6 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяNTGS3130NT1G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage20 V
Drain current4.1 A
Pulsed drain current19 A
Power dissipation0.6 W
КорпусTSOP6
Gate-source voltage±8 V
On-state resistance19 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge13.2nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.1A; Idm: 19A; 600mW; TSOP6

Документация

Документы пока не предоставлены.