Антава

ONSEMI

Транзистор NTGD4167CT1G

Type of transistor
N/P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Kind of transistor
complementary pair
Drain-source voltage
30/-30 V
Drain current
1.9/-1.4 A
Рассеиваемая мощность
0.9 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяNTGD4167CT1G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN/P-MOSFET
Polarisationunipolar
Kind of transistorcomplementary pair
Drain-source voltage30/-30 V
Drain current1.9/-1.4 A
Рассеиваемая мощность0.9 W
КорпусTSOP6
Gate-source voltage±12 V
On-state resistance90/170 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V

Документация

Документы пока не предоставлены.