Антава

ONSEMI

Транзистор NTE4151PT1G

NTE4151PT1G
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-20 V
Drain current
-0.76 A
Рассеиваемая мощность
313 mW
Корпус
SC89
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 3 096 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%34,07 ₽

Сумма · с НДС 22%34,07 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 134,07 ₽
от 526,90 ₽
от 1023,49 ₽
от 5017,97 ₽
от 10017,05 ₽
от 50016,10 ₽
от 100015,04 ₽
от 150014,24 ₽
от 300013,11 ₽
от 900011,87 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяNTE4151PT1G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-20 V
Drain current-0.76 A
Рассеиваемая мощность313 mW
КорпусSC89
Gate-source voltage±6 V
On-state resistance1 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge2.1nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.76A; 313mW; SC89

Документация

Документ производителяДокумент производителя